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本发明公开了一种掩膜板制备方法及掩膜板，涉及泛半导体制作技术领域，所述方法包括以下步骤：步骤S1、在透明载板上形成导电膜或半导体膜；步骤S2、在导电膜或半导体膜形成光阻膜；步骤S3、在光阻膜上光刻掩膜片图案；步骤S4、在光阻膜上电铸掩膜片，...
该专利属于季华实验室所有，仅供学习研究参考，未经过季华实验室授权不得商用。

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