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一种3D堆叠的半导体器件、阵列及其制造方法、电子设备技术
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文档序号:40178269
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一种3D堆叠的半导体器件、阵列及其制造方法、电子设备,所述3D堆叠的半导体器件包括:多个晶体管,分布于不同层沿垂直于衬底方向堆叠;位线,贯穿所述不同层的所述晶体管;所述晶体管包括第一电极,第二电极,沿平行于衬底方向延伸的栅电极,部分环绕所述...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有,仅供学习研究参考,未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。
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