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本申请实施例提供了一种金属氧化物薄膜晶体管、存储器以及电子设备，包括：半导体层、源极层、漏极层、栅极层和接触层；接触层位于源极层与源接触区之间并分别与源极层以及半导体层的源接触区接触，和/或，位于漏极层与漏接触区之间并分别与漏极层以及半导体...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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