温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提出了一种GaN基半导体激光芯片，所述GaN基半导体激光芯片具有导带有效态密度梯度、分离能梯度、极化光学声子能量梯度和峰值速率电场梯度。本发明能够调控声子跃迁与输运，降低自由载流子吸收的热量，降低激光器的光吸收损耗，降低激光器的电阻，...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。