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本发明提供一种平坦化方法，采用包括仅通过一次化学机械研磨工艺，对衬底表面进行材料无差异化的平坦处理，所述化学机械研磨工艺包括至少一次研磨步骤，所述研磨步骤包括研磨选择比为0.5~2的精磨步骤以暴露基底，通过单台化学机械研磨设备就可完成隔离层...
该专利属于格科半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格科半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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