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本发明涉及一种可抑制闩锁的功率器件及制备方法。其包括：对任一元胞沟槽，至少在所述元胞沟槽的一侧设置第一导电类型源区，其中，第一导电类型源区包括若干沿元胞沟槽长度方向依次排布的第一导电类型子源区；对任一第一导电类型子源区，配置一与所述第一导电...
该专利属于芯长征微电子制造（山东）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯长征微电子制造（山东）有限公司授权不得商用。

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