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本发明公开了一种屏蔽栅沟槽型功率器件及工艺方法，包含：在半导体衬底中进行刻蚀形成沟槽；然后淀积一层第一氧化层，以光刻胶沟槽填充满；对光刻胶进行过刻蚀使光刻胶保留至沟槽深度的二分之一处；去除沟槽内保留的光刻胶以上的所有第一氧化硅层；去除所有的...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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