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本发明提供一种利用内建自测提高读取速度的闪存，包括内建自测体系和数据读取路径，其中：所述内建自测体系向所述数据读取路径发出预设数据和缩短读取时间控制信号；所述数据读取路径向所述内建自测体系发出读取数据。本发明中的利用内建自测提高读取速度的闪...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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