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本公开实施例公开了一种半导体结构的形成方法和半导体结构，方法包括：提供衬底；在衬底上，形成沿竖直方向交替堆叠的半导体层和牺牲层；其中，半导体层和牺牲层均沿第一方向延伸，第一方向垂直于竖直方向；在半导体层和牺牲层内，形成支撑结构和接触结构；其...
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