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本发明公开了一种T型阳极GaN肖特基温度传感器，包括：自下而上堆叠而成的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、AlN插入层和势垒层；半圆环形P型GaN层堆叠于势垒层上方的一侧。第一钝化层覆盖于势垒层上表面除P型GaN层以外的地方。第二钝化层覆盖于P...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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