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本发明提供了一种SOI衬底的制备方法及制备装置，涉及半导体的技术领域，方法包括：步骤S1.提供一初始衬底，所述初始衬底包括依次连接的顶部硅基板、氧化硅和底部硅基板。步骤S2.对顶部硅基板的顶面进行研磨减薄，以使研磨减薄后所述顶部硅基板的最薄...
该专利属于星中达半导体科技（山东）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过星中达半导体科技（山东）有限公司授权不得商用。

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