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本发明提供一种外延生长方法及外延膜，包括：在单晶衬底上制备包含目标材料的第一外延层；使用激光束在第一外延层上切割出图形，得到图形化衬底；将图形化衬底置于生长设备中进行横向和纵向外延生长，得到第二外延层。该制备方法能够有效缓解衬底与外延膜之间...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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