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本发明涉及一种应用长波脉冲激光技术进行非晶硅薄膜可控同质外延生长的方法。首先将经化学气相沉积制得的具有单晶体或多晶体衬底的非晶硅薄膜置于具有惰性气体的保护性容器中；然后用波长为１．００～１．１０微米的脉冲激光，通过调整光斑尺寸，使之产生正离...
该专利属于南通大学所有，仅供学习研究参考，未经过南通大学授权不得商用。

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