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本申请涉及一种半导体器件结构及其制备方法。该半导体器件结构包括：第一导电类型的衬底，第一导电类型的漂移区，JFET区，多个第二导电类型的阱区，多个第一导电类型的源区，多个沟道区以及栅极结构，栅极结构包括：栅介质层及多个栅极。多个栅极与所述沟...
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