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本发明提供了一种铁电存储器及其制备方法。铁电存储器包括主体电容区域和电极引出区域，主体电容区域为多个应变层和铁电层自下而上交错排列，其中最下层和最上层为应变层，所有应变层中奇数应变层在水平方向上位置对齐，偶数应变层在水平方向上位置对齐，奇数...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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