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本发明提供一种图像传感器形成方法,在栅极形成之前,包括:刻蚀半导体衬底,形成用于所述图像传感器像素单元之间隔离的第一沟槽,于其中至少部分所述第一沟槽中形成所述图像传感器中的至少部分电容,以优化图像传感器的制造工艺。本方案利用刻蚀、二次外延等...该专利属于格科微电子(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过格科微电子(上海)有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种图像传感器形成方法,在栅极形成之前,包括:刻蚀半导体衬底,形成用于所述图像传感器像素单元之间隔离的第一沟槽,于其中至少部分所述第一沟槽中形成所述图像传感器中的至少部分电容,以优化图像传感器的制造工艺。本方案利用刻蚀、二次外延等...