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本发明公开了一种振荡放大式相干阵边发射半导体激光器及制备方法，包括：包括：半绝缘衬底和形成于半绝缘衬底上表面的外延层；外延层的上表面依次设置有一维单模脊波导阵列区
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该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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