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一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区，所述第一区和所述第二区的材料不同；在所述第一区表面和所述第二区表面形成若干相互分立的掩膜层；在形成掩膜层之后，对暴露出的所述衬底进行若干次刻蚀处理，使所述第一区形成第一鳍...
该专利属于中芯国际集成电路制造所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造授权不得商用。

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