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本发明提供半导体层及其制造方法以及激光器二极管及其制造方法。本发明提供能够通过简单的方法抑制杂质失去活性的半导体层制造方法、抑制杂质失去活性的半导体层、能够通过简单的方法抑制杂质失去活性的激光器二极管制造方法以及包括抑制杂质失去活性的半导体...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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