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本发明涉及具有迁移率优化取向的半导体纳米线及其形成方法。通过对电介质材料层上的半导体层进行光刻图案化来形成分别包含一个半导体链路部分和两个毗连的垫片部分的原型半导体结构。半导体链路部分的侧壁被取向为对于第一类型的半导体结构使空穴迁移率最大并...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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