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本实用新型公开了一种碳化硅肖特基二极管结构，包括碳化硅衬底、第一漂移层、第二漂移层、P型埋层、欧姆接触层和肖特基接触层，第一漂移层设于碳化硅衬底的第一表面，第二漂移层设于第一漂移层上，并具有沟槽结构；P型埋层周期排列埋设于第一漂移层内，并与...
该专利属于厦门紫硅半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门紫硅半导体科技有限公司授权不得商用。

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