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本发明具体涉及一种ＩＧＢＴ模块用低热阻陶瓷覆铜板的制作工艺。其特征在于包括如下步骤：１）陶瓷基片清洗活化，并在陶瓷基片的表面采用ＰＶＤ工艺沉积一层１～２μｍ的铜膜；２）铜箔清洗活化，并在铜箔表面采用ＣＶＤ工艺交替沉积０．１μｍ厚的氧化亚铜和...
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