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本实用新型提供一种IGBT模块的封装结构，针对当前国内外焊接式IGBT模块结构依然按照芯片、焊料、DBC及平面基板常规的方式从内到外组成，在整个封装结构中，芯片热耦合严重，热传递路径散热热耦合同样严重，整个模块的散热效果较差的问题，通过对芯...
该专利属于南瑞联研半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过南瑞联研半导体有限责任公司授权不得商用。

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