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本发明是一种单相结构、高密度铟锡氧化物靶材的制备方法，是一种以常压烧结法制备ＩＴＯ靶材的方法。本发明是利用化学共沉淀法制备ＩＴＯ复合粉体，在ＩＴＯ粉体中加入粘结剂进行造粒并干燥，对造粒过后的ＩＴＯ粉体模压成型得到初坯，再对初坯冷等静压得到素...
该专利属于北京化工大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京化工大学授权不得商用。

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