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一种高压VDMOS器件制备用自调节式原料曝光装置制造方法及图纸
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下载一种高压VDMOS器件制备用自调节式原料曝光装置的技术资料
文档序号:39500881
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本发明属于高压VDMOS器件制备领域,具体为一种高压VDMOS器件制备用自调节式原料曝光装置,包括装置外壳,所述装置外壳的顶端安装固定有液压杆,所述液压杆的底端安装固定有激光器,所述激光器的底端固定连接有安装板,所述安装板上贯穿开设有通槽,...
该专利属于杭州华芯微科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过杭州华芯微科技有限公司授权不得商用。
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