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一种电子器件，该电子器件包括衬底和形成在第一半导体管芯上、电耦接到该衬底的第一氮化镓(GaN)晶体管。第二GaN晶体管形成在第二半导体管芯上并且也电耦接到该衬底。一体式散热器热耦接到该第一氮化镓半导体管芯和该第二氮化镓半导体管芯，并且电耦接...
该专利属于纳维达斯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过纳维达斯半导体有限公司授权不得商用。

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