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本发明提供一种半导体用钽粉的氢气还原降氧方法，所述氢气还原降氧方法包括如下步骤：(1)钽锭置于氢化炉里抽真空后，充入氢气升温至600℃～700℃，待炉内压力不再下降后，停止加热，得到氢化后的钽锭；(2)所述氢化后的钽锭依次经破碎和分级，得到...
该专利属于宁波江丰电子材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁波江丰电子材料股份有限公司授权不得商用。

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