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本申请涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。该半导体器件的实施方式可包括：第一半导体管芯，该第一半导体管芯混合接合到第二半导体管芯上；接合焊盘，该接合焊盘包括在该第二半导体管芯中；硅通孔TSV，该TSV完全贯穿该第一半导体管芯并延伸到包括在...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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