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本发明提供一种磁阻效应元件、磁存储器和人工智能系统，通过流过重金属层的写入电流，能够实现低电阻，高效地使记录层的磁化方向反转，而不会降低反转效率。磁阻效应元件(10)包括：重金属层(11)，其通过层叠Ir层(12)和Pt层(13)而成；记录...
该专利属于国立大学法人东北大学所有，仅供学习研究参考，未经过国立大学法人东北大学授权不得商用。

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