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本发明提供的一种单光子雪崩二极管光子探测概率建模预测方法，考虑到死空间距离以及非理想因素边缘效应，输入参数来自TCAD Sentaurus仿真提取，基于实际制造值和器件布局，无需加入额外拟合参数，计算发生在二维剖面上每点的击穿概率，非常直观...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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