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本发明涉及晶圆制造，公开了一种硅片去边工艺。本发明中所提供的硅片去边工艺，将与硅片规格相符的保护罩与硅片背封面结合，将带有保护罩的硅片浸泡在HF溶液中浸泡，去除硅片暴露区域的SiO2，将浸泡完成后的硅片放入清水中清洗，去除硅片表面残留HF液...
该专利属于上海中欣晶圆半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海中欣晶圆半导体科技有限公司授权不得商用。

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