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本发明提供了一种半导体光敏高压二极管的制备方法，包括：根据光敏二极管的需要应用场景，确定需要制造流程以及需要制造流程中每个制造项目的初始最佳参数；根据制造项目的项目顺序且依据对应制造项目的初始最佳参数进行二极管制造，并在依据对应的制造项目制...
该专利属于鞍山中科恒泰电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过鞍山中科恒泰电子科技有限公司授权不得商用。

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