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本发明提供一种铟镓氮薄膜的制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：步骤A：在衬底生长至少一层初始氮化镓层；步骤B：在初始氮化镓层上生长一层铟镓氮层；步骤C：基于目标策略对铟镓氮层进行处理，在处理后的铟镓氮层上再生长一层铟镓氮层；目标策略包括...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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