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本公开实施例涉及半导体领域，公开了一种封装结构、半导体器件及其制造方法。半导体器件包括基底，基底包括介质层和半导体衬底，半导体衬底具有相对的正面和背面，介质层位于正面上；导电柱，导电柱位于介质层内且自正面向半导体衬底内延伸，且凸出于背面，其...
该专利属于长鑫科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫科技集团股份有限公司授权不得商用。

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