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本发明属于晶圆级封装技术领域，具体公开了一种TSV/TGV微通孔金属化方法，具体包括：清洗衬底材料保持衬底表面洁净；将衬底材料烘干后打孔，打孔完成后再进行清洗烘干；对衬底材料表面以及通孔进行绝缘层的沉积；对衬底材料表面以及通孔进行阻挡层和种...
该专利属于厦门大学所有，仅供学习研究参考，未经过厦门大学授权不得商用。

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