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本发明涉及一种光电集成电路，包括由部分表面区域（５）的顶层硅薄膜（２）和另一部分表面区域（６）的外延硅岛（９）构成的混合衬底，在顶层硅薄膜之下设有二氧化硅埋层，在部分表面区域（５）设有光学器件（７），在另一部分表面区域（６）设有电学器件（８...该专利属于NANO科技(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过NANO科技(北京)有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种光电集成电路，包括由部分表面区域（５）的顶层硅薄膜（２）和另一部分表面区域（６）的外延硅岛（９）构成的混合衬底，在顶层硅薄膜之下设有二氧化硅埋层，在部分表面区域（５）设有光学器件（７），在另一部分表面区域（６）设有电学器件（８...