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本发明公开了沟槽MOSFET的接触孔光刻对准精度监测结构，包括由环形沟槽和长条形接触孔分割形成的两个条形电阻测试结构，所述两个条形电阻的长度相等，宽度分别为W1和W2，且W2大于W1，所述两个条形电阻的长度由源区光刻层的版图决定，源区的左右...
该专利属于深圳市美浦森半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市美浦森半导体有限公司授权不得商用。

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