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本发明提供了一种屏蔽栅功率器件及制备方法，该屏蔽栅功率器件包括：半导体层20；沟槽21，位于所属半导体层20内；屏蔽栅极23，位于所述沟槽21内，所述屏蔽栅极23的上表面低于所述沟槽21的顶面；栅极25，位于所述沟槽21内，且位于所述屏蔽栅...
该专利属于上海功成半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海功成半导体科技有限公司授权不得商用。

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