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一种超结MOSFET的制备方法技术
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文档序号:39065663
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本发明公开了一种超结MOSFET的制备方法,S1、准备基底和底座材料;S2、构建N型漂移区;S3、堆叠栅极;S4、制造沟槽栅;S5、引入低掺杂层或本征层;S6、衬底掺杂;S7、金属化和封装,本发明通过优化超结MOSFET的制备过程,优化沟槽...
该专利属于深圳市冠禹半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市冠禹半导体有限公司授权不得商用。
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