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本发明提供一种形成氮化硅膜的方法。根据本发明，通过对含硅／氮源气体或者含硅源气体和含氮源气体进行热分解来在低沉积温度（例如小于５５０℃）下沉积氮化硅膜，以形成氮化硅膜。然后利用氢自由基对热沉积的氮化硅膜进行处理以形成处理后的氮化硅膜。...
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