温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开提供了基于Simulink的多温度SiC MOSFET建模方法及系统，涉及SiC MOSFET器件建模技术领域，方法包括：根据SiC MOSFET数据手册获取SiC MOSFET动静态特性曲线；依据SiC MOSFET特性曲线建立沟道...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。