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公开了一种功率器件和制造功率器件的方法。公开的功率器件包括：沟道层；源电极和漏电极，设置在沟道层的两侧上；栅电极，设置在沟道层上方并位于源电极和漏电极之间；至少一个第一场板，从栅电极之上朝向漏电极延伸，并包括金属；以及高k介电层，设置在至少...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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