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本实用新型涉及半导体制备技术领域，且公开了一种水平砷化镓单晶双舟生长的装置，包括生长管、底座、放置架、舟型器皿、籽晶，所述底座固定安装在生长管的内壁，所述放置架设置在底座的顶部，所述放置架分为上下两层，所述放置架的外部设置有固定装置。该水平...
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