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本发明公开了一种二维层状插层CuNb2S4晶体材料及其制备方法，属于二维材料制备领域。该制备方法包括以下步骤：将铜源、铌源和助熔剂的混合物放置于两片衬底之间，并将所述混合物和衬底放置于反应炉的中心温区，其中中心温区的温度控制在850
该专利属于北京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京理工大学授权不得商用。

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