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本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法，属于图像传感器技术领域。该CMOS图像传感器，包括半导体衬底；至少一个像素单元；多个第一深沟槽隔离结构，用于形成像素单元的边框；多个第二深沟槽隔离结构，形成于像素单元中，通过多个第一深沟槽隔离...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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