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本实用新型公开了一种新型磁控溅射设备，包括用于安装整个溅射设备的设备支架及其下方设置的方便其移动的脚轮，设备支架前方设置有反应腔，反应腔后端与涡轮分子泵接通，反应腔的右侧与真空缓冲室接通，可以实现在真空条件下，不进行靶材更换就完成不同材料的...
该专利属于南昌三盛半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南昌三盛半导体有限公司授权不得商用。

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