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本发明提供了一种具有pGaN插入结构的GaNHEMT器件，包括：衬底、沟道层、势垒层、源极金属层、栅极以及漏极金属层；一个或两个以上的第一P型插入结构，形成于P
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该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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