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本申请公开了一种半导体器件、集成电路及电子设备，该半导体器件包括n型的半导体衬底、漂移层、半导体层、沟槽、屏蔽结构、源极和漏极。P型的屏蔽结构设置于漂移层，且屏蔽结构包括多个第一屏蔽结构和多个第二屏蔽结构，上述第一屏蔽结构沿第一方向延伸，第...
该专利属于华为数字能源技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为数字能源技术有限公司授权不得商用。

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