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本发明提供一种屏蔽栅MOS器件及其制造方法，本发明中终端区开口的衬底侧壁上形成有牺牲氧化层和栅氧化层一起作为隔离氧化层，终端区开口内屏蔽栅与多晶硅栅之间也是形成有牺牲氧化层和栅氧化层一起作为隔离氧化层；而有源区内开口侧壁仅形成有栅氧化层。本...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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