温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种碳化硅半导体结构的制作方法和碳化硅半导体结构，该方法包括：提供第一基底层，其中，第一基底层的材料为碳化硅；对第一基底层的表面进行第一热氧化处理，形成第一氧化层，并去除第一氧化层，得到第二基底层；对第二基底层的表面进行第二热氧...
该专利属于珠海格力电器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海格力电器股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。